接口速度5.6 GT/s、超400层!三星将推出第10代V
[时尚] 时间:2024-12-23 17:16:18 来源:绝仁弃义网 作者:探索 点击:35次
12月5日消息,接口将推据媒体报道,速度三星即将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示其最新的超层星出第第10代超过400层3D NAND Flash,接口速度可达5.6 GT/s。接口将推
三星的速度这一新一代V-NAND保持了TLC(三级单元,或每个单元3位)架构,超层星出第每个芯片的接口将推容量为1Tb(128GB)。
三星声称,速度其新的超层星出第超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²,略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的接口将推28.5 Gb/mm²,后者是速度目前世界上存储密度最高的NAND Flash。
此外,超层星出第三星第10代V-NAND的接口将推接口速度达到5.6 GT/s,明显快于长江存储的速度3.6 GT/s。
在5.6 GT/s的超层星出第速度下,相当于约700 MB/s的数据传输速率,意味着其中10个设备可以使PCIe4.0 x4接口饱和,而20个足以使超快的PCIe5.0x4接口饱和。
三星计划在ISSCC 10上推出第10代V-NAND,因此很可能在明年开始批量生产这种NAND Flash,只是尚不清楚新何时会进入三星自己的SSD。
(责任编辑:热点)
相关内容
- 萨拉赫助攻加克波冲顶破门,十人红军扳平!
- 孔德:用这样的方式赢拜仁感觉很棒这个结果能增加我们的信心
- 16次传中失误!萨卡在对阵国米时的这一数据为本赛季欧冠最多
- 平分秋色!曼联与费内巴切此前交手6次,两队各胜3场
- [流言板]唐斯为历史首位30+得分20+篮板5+三分,三分命中率100%球员
- 王腾直播Redmi K80系列跑分数据:常温环境跑出300多万分
- 巴萨vs西班牙人首发:莱万、拉菲尼亚、奥尔莫先发,普阿多登场
- [流言板]威少目前命中率24.4%,是目前出手40+次球员中最低的
- 和平不易:2024年国际军情十大瞬间
- NBA新赛季西部排名预测(纯主观,不喜勿喷)
- 小米视频免费短剧内测招募来了:2000部短剧免费看
- [流言板]稳定发挥!西亚卡姆全场13中6,罚球5中5得到17分4篮板3助攻
- “禁止员工去冰雪大世界”引热议 企业回应:属实!为给南方游客留票!
- 王腾:Redmi K80E被砍掉了